通過認證當天起算，若有預約自行操作或實驗室及無塵室進出，則自動以最新預約日期起算。

• 不須光罩即可製作>10 nm之奈米圖案
• 高解析度之電子顯微功能 (500,000X)
• 高精密度載台定位系統 (0.6 nm)
• 使用PC系統以及相容AutoCAD(詳細介紹)

UV壓印技術基本上是先行製作奈米圖案於可透UV光之模板上，隨即將高分子均勻塗佈於基板上；在利用先前製作之具有奈米圖案之模板以適當的力量施壓於所使用之基板上；並施以紫外光（ultraviolet, UV）照射單體使之行高分子聚合反應而固化。使阻劑圖案化於所需之基板上；再以RIE將阻劑圖案轉移至欲圖案化之基板上，如此即可的奈米圖案於所需的基板上。(詳細介紹)

紫外光曝光機用於光蝕刻製程中之光罩圖形轉移。OAI 500-IR所採用的對準方式為接觸式(contact)，也就是光罩與晶圓上的光阻直接接觸，紫外線就從光罩的透明區穿過而將其下的光阻進行曝光。值得一提是OAI 500-IR在操作時，電流輸出為5A及功率輸出為350W均為穩定輸出，此功率限制在C/P (constant power)下是因為汞燈的功率隨使用時... (詳細介紹)

利用離心力將光阻均勻塗佈到試片。(詳細介紹)

利用離心力將光阻均勻塗佈到試片。(詳細介紹)

MA/BA6 是設計用於 150 mm 大小以下的晶圓。欲應用在諸如微電機系統、光學元件及複合半導體等領域時，M/BA6 是為最適裝備。對準器具有多樣化的應用潛能，不僅可運用在研發層面，且由於其製造穩定度高，因此亦可絕佳地融入既存的生產環境中。MA/BA6 光學及曝光系統的品質優良，可在所有的運用領域中可靠地提供極大程度的支援。即便涉及帶有厚厚的感光保護膜... (詳細介紹)

在半導體製程中，蝕刻被用來將某種材質自晶圓表面上移除。蝕刻通常是利用腐蝕性物質移除部份薄膜材料，以達到產生所需圖案之技術。一般將蝕刻分為濕式蝕刻和乾式蝕刻，而乾式蝕刻（Dry Etching）又稱為電漿蝕刻（Plasma Etching）且屬於非等向性蝕刻，所以是目前最常使用的蝕刻方式。電漿蝕刻是一種以氣體為主要的蝕刻媒介，並藉由電漿能量來驅動反應。(詳細介紹)

  在半導體製程中，蝕刻被用來將某種材質自晶圓表面上移除。蝕刻通常是利用腐蝕性物質移除部份薄膜材料，以達到產生所需圖案之技術。一般將蝕刻分為濕式蝕刻和乾式蝕刻，而乾式蝕刻（Dry Etching）又稱為電漿蝕刻（Plasma Etching）且屬於非等向性蝕刻，所以是目前最常使用的蝕刻方式。電漿蝕刻是一種以氣體為主要的蝕刻媒介，並藉由電漿能量來驅... (詳細介紹)

櫃體可提供清洗、蝕刻、浸泡、軟烤、超音波等相關功能，並有效排除實驗所產生的有害物質。(詳細介紹)

本中心Cl-base 的蝕刻製成主要使用Cl2、BCl3、SiCl4、Ar、O2和CHF3，以高能電漿離子化產生自由基後和代蝕刻物質反應後產生結構。III-V材料及金屬材料的蝕刻具有相當的難度，主因是常用的F離子與III-V材料及金屬材料反應後的生成物，其氣化溫度（Boiling temperature）大於攝氏1000度，造成無法蝕刻的問題，而氯氣離子的... (詳細介紹)

Disco DAD-321 切割機是日本 Disco 公司的產品, 它在半導體晶圓及微機電系統製造完成過渡到電子構裝的過程當中扮演重要的角色, 它可沿基板上元件及元件之間做精密切割, 堪稱切割的利器, 其功能不只如此, 它也可對矽基板進行試片、元件之精準切割, 對於不同基板時, 更提供玻璃、石英及高分子三種厚板的選擇, 操作步驟相單簡便, 首先只需更換刀片... (詳細介紹)